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三星将在明年推出QLC、大容量NGSFF SSD

2017-08-09 14:44:23 作者：陈国毅

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  【天极网DIY硬件频道】今天，半导体行业老大三星发布了关于未来存储产品的一些规划。

  三星表示，明年将会量产单芯片1Tb(128GB)容量V-NAND闪存颗粒，年底量产16TB的NGSFF SSD，系统响应时间更快的Z-SSD，全新的Key Value SSD。

三星将在明年推出QLC、大容量NGSFF SSD

三星将在明年推出QLC、大容量NGSFF SSD
 三星将在明年推出QLC、大容量NGSFF SSD

  此外，三星还宣布明年将会准备量产单芯片1Tb的V-NAND闪存颗粒，那么目前的第四代已经是64层堆叠才能达到256Gb容量，明年量产的第五代将依靠QLC，也就是一个Cell里面存储4比特位的信息，容量提高了，带来的副作用就是速度、寿命的下降。我们希望明年三星的QLC产品可以有一个比较合理的容量、性能、寿命。

三星将在明年推出QLC、大容量NGSFF SSD
 三星将在明年推出QLC、大容量NGSFF SSD

  在服务器上，三星为其准备了NGSFF (Next Generation Small Form Factor)规格SSD，主要是适用于1U的服务器上，可以提高了服务器存储数据容量和IOPS。

三星将在明年推出QLC、大容量NGSFF SSD
 三星将在明年推出QLC、大容量NGSFF SSD

  最后，三星还提到会有一个全新技术产品Key Value SSD，专攻大数据解决方案。砍掉了不必要的硬件层，减少多余的访问步骤，使得应用程序可以直接访问到闪存颗粒，提高效率，并且可以提供SSD读写性能、容量。

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