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英特尔制造工艺落后?然而事实并不是这样!

天极网硬件频道 2017. 11. 14 作者:网络 责编:王跃锐
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  【天极网DIY硬件频道】这几年,三星和台积电在半导体制造工艺上突飞猛进,让半导体巨头英特尔开始感到前所未有的压力。在公众场合,英特尔也在不断的强调,英特尔的半导体制造工艺是目前世界上最先进的,领先台积电、三星一个世代,三星和台积电的10纳米工艺实际上与英特尔的14纳米相同,只是三星台积电在命名上做出了改变,误导一般消费者。

  从制造工艺上来看,英特尔最新的Coffee Lake-S依然采用14纳米FinFET工艺,而三星的台积电的10纳米也是采用FinFET工艺。不过按照英特尔的说法,三星、台积电的晶体管密度与他们的14纳米相差无几,三星和台积电利用更改实际之称的方法,来达到他们的宣传效果。

  现在英特尔的14纳米工艺已经延续了三代,10纳米的逻辑电路产品依然没有正式量产,最快也要等到明年的Ice Lake上使用了。英特尔表示10纳米已经进入到试产阶段,不过最早用上10纳米的并非逻辑处理器产品,而是应用在存储器上。

  台积电方面,在10纳米工艺成本高企的情况下,台积电退出了成本更低的12纳米工艺,实际上,台积电的12纳米工艺就是其14纳米的改良版,只是进一步提升晶体管密度。三星则将重点放在10纳米内的8nm工艺,而8nm工艺也将继续使用FinFET工艺,实际上就是三星10纳米的改良版。所以三星、台积电一直在强调制程工艺,不过他们依然落后英特尔一个世代,不过英特尔的“牙膏”已经挤了好多年,不知道在AMD的强力追击之下,能否在明年带来更好的产品。

作者:网络责任编辑:王跃锐)
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