忘却E4000时代!英特尔E7200处理器分析

　　前言:

　　随着酷睿2双核E8200处理器的上市，45nm已经成为2008年初DIY玩家们最为关注的字眼。不过，面对价格高昂的E8200不少朋友都感到仍为失望了，理论上工艺提升后会带来性能提高成本下降的好处，且根据以前Intel公布的预计售价，Intel Core 2 Duo E8200的正式零售价应该在1200元左右。但由于各种原因，Intel Core 2 Duo E8200的上市价格高达1599元。与原本应该接替Intel Core 2 Duo E6550位置，并提高千元级双核性能档次的打算相去甚远。难道45nm处理器真的仅仅是富人的玩物吗?

　　其实，这一切大家都不用过份担心。酷睿2双核E8200处理器仅仅是45nm处理器里程的一个开始，45nm制程技术将会逐渐贯穿英特尔所有的产品线，甚至包括定位最底端的赛扬品牌，这只不过是一个时间的问题。根据最新消息，原定在5月底推出的、基于45nm制程技术的酷睿2双核E7000家族系列产品将会提前到4月20日全线发布，从而取代目前65nm制程的酷睿2双核 E4000系列。其中最先与我们见面的将是Core 2 Duo E7200处理器……

　　一、不仅仅是制程的改进!Core 2 Duo E7000系列的三大亮点

　　相对于当前的E4000系列处理器，Core 2 Duo E7000 家族在规格上有着更大的提升，采用全新45nm Wolfdale 双核心， FSB 速度将由800MHz FSB 提升1066MHz FSB ，内建 L2 Cache 容量由2MB提升至3MB ，最高TDP为65W，支持EIST、Intel 64、Execute Disable bit 及SSE4技术……

　　1、采用45nm Wolfdale 双核心，性能不错、超频更佳!

　　和目前采用65nm制程的E4000系列相比，Core 2 Duo E7000系列最大的特点是采采用发改进半导体材料结构的45纳米工艺以及多项微体系结构改进，实现了同频下以更低的功耗提供比Conroe更快的性能。

　　由于"线宽"的缩减可能会导致单位面积的能量密度、漏电呈指数式提升，在65纳米的时代开始漏电造成的产品良率下降问题变得越来越严重，除了采用取巧式的动态电路设计外，半导体厂商还会透过改进晶体管的物料、构造等来降低这些问题造成的影响。因此，在45纳米工艺(代号P1262)中，英特尔启用了03年在日本发布的铪基High-K(高K)栅电介质+Metal Gate(金属栅)电极叠层技术。采用High-K栅电介质技术和传统的氮氧化合物/多晶硅栅堆叠技术相比，成本上会增加几个百分比，不过为了让制造技术能符合摩尔定律并保持与AMD+IBM的设计工艺组合差距，英特尔还是不惜工本地提前采用P1266工艺量产处理器。按照英特尔的介绍，引入了高K栅电介质和金属栅层叠技术后，漏电量减少到1/10以下，晶体管性能提升了20%。

　　
Core 2 Duo E7000

　　由于采用45nm制程，Core 2 Duo E7000的核心芯面积缩减到107平方毫米，相对于Conroe核心的143平方毫米，面积缩减了大约33.6%，考虑到Wolfdale/Penryn的L2 cache增加了50%并且引入了47条扩展指令的SEE 4.1及其他一些小改进，这样的延伸比率还是相当不错的。当然，新制程的使用并不仅仅起到降低成本的作用，这也为让处理器达到更高的工作频率打下了良好的基础。从目前相关媒体的测试成绩来看，2.53GHz的E7200可以在风冷的情况下轻易突破4GHz，超频幅度已经超过50%。这也给无数I粉丝们带来了无穷的遐想及期待。

　　可以说，45nm工艺产品的现身，使得intel在2008年桌面市场的路线更加清晰，Core 2 Duo E7000系列也正是在这个路线下诞生的新品 。