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AMD率先达到22nm制程 Intel芯片制程面临挑战

2008-08-25 06:26作者:李立超出处:天极网责任编辑:李立超

  据国外媒体报道,AMD等厂商与IBM高调宣布首发22nm制程工艺,将会先于老对手Intel进入22 nm工艺时代。消息称,IBM将会在2011年正式量产22 nm芯片,如果情况属实的话,这将是最近几十年来IBM首次在制程上领先于Intel。要想跟上节奏,Intel可能就不得不在研发上再多花点功夫了。

amd
晶圆图片

  据报道,IBM所用的测试存储芯片SRAM是业界首款用来测试22 nm工艺的半导体芯片,由AMD、Freescale、IBM、东芝以及CNSE共同开发生产,采用传统的设计方式(在300 mm晶圆上设置6三极管)。据称,该测试芯片的磁心存储匹元面积仅为0.1 μm2,这方面与Intel 0.346 μm2磁心存储匹元的面积相比具有不小的优势。

  据了解,Intel曾经在去年9月份展示过业界首款32 nm SRAM测试晶圆,而且旗下32 nm CPU将会在本周的IDF论坛上正式亮相,不过事实上,Intel的22 nm SRAM测试晶圆至今还是遥遥无期。

  IBM对于自己的32 nm制程技术同样信心十足,曾今许诺:“IBM的32 nm high-K metal gate制程工艺非常先进,其他任何一家公司所无法比拟。”不过,与IBM对于其全新的32 nm high-K metal gate技术守口如瓶不同,Intel其实已经于去年年底就开始利用high-K metal gate技术生产45 nm Penryn了。

  由此看到,尽管我们离22 nm以及32 nm芯片还有段时间,但是以目前的情况看,IBM以及AMD们在芯片制程工艺方面已经稍占优势了,这也是最近几十年来头一次,看来芯片巨头们的竞赛越来越有趣了。

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