天极网10月17日消息 日立 (Hitachi)与日立环球储存科技 (Hitachi Global Storage Technologies，Hitachi GST))公司今日宣布，成功研发出世上最小的硬盘读取磁头 (read-head)技术，预计能将目前的储存容量提高四倍，让台式电脑与笔记本型电脑的硬盘容量将可分别达到4 TB (terabytes)与1 TB (terabytes)。

　　日立研究人员成功将目前磁头的尺寸缩小一半以上，新磁头尺寸在30至50纳米 (nm) 范围内，是常人发丝宽度 (约为70至100微米) 的1/2000。日立的新技术名为CPP-GMR (巨磁阻，全称current perpendicular-to-the-plane giant magnetoresistive) 磁头*1，该项技术预计将于2009年应用于产品中，2011年实现其全部产能。

*1. CPP-GMR：为现有TMR磁头的替代技术，CPP-GMR磁头技术依靠金属而非穿隧式传导，拥有更低的电阻，因此适合高速运转与小尺寸规模。

　　日立表示，我们持续深入研发硬盘技术，是因为我们相信在可预见的未来，没有其它技术具备像硬盘这样大容量与低成本的优势。不论对消费者或是对日立而言，这是项具有意义的成就。我们可藉由该技术推动TB储存时代的发展，且可使消费者不受限制地储存其数字内容。

　　日立相信，CPP-GMR磁头将使硬盘录写密度 (recording densities)从每平方英寸500GB (Gb/in2)提升至每平方英寸1 TB (Tb/in 2)，是目前最高磁录密度的四倍。今年年初，日立环球储存科技推出业界首台1 TB硬盘，其磁录密度为148 Gb/in 2 ；而在目前日立环球储存科技出货的产品中，最高的磁录密度约为200 Gb/in 2，这些产品皆使用现有的TMR (穿隧式磁阻，全称tunnel-magnetoresistive) *2磁头技术。录写磁头与磁盘是控制硬盘微型化发展与容量指数级成长的两种关键技术。

*2. 穿隧式磁阻设备由三层结构组成，中间是绝缘层，两边是铁磁层。当上面铁磁层和下面铁磁层的磁化方向变化时 (平行或非平行)，产生的电流电阻变化称为TMR效应，两种状态间的电阻比称为磁阻比。

　　随着硬盘持续发展，硬盘不仅要储存更多数据，还需把越来越小的数据单位(data bits)录写至磁盘上，为读取这些数据单位，磁头需不断缩小。但随着磁头缩小，电阻提高，不仅增加噪音，也降低磁头正确读取数据信号的能力。