天极网12月9日消息 勤茂日前宣布设计完成新一代高速内存模组－DDR3-1333 SO-DIMM，新一代的DDR3内存是采用双倍于DDR2(4bit Pre-fetch)的8bit预取设计，基本带宽速度也从800 MHz开始起跳，可向上推升至1066MHz和1333MHz等高速运作。
DDR3-1333 SO-DIMM采204针脚的设计架构，其有别于DDR2采200针脚的架构；在工作电压方面，因颗粒制程的演进，也已由DDR2的1.8V下降至1.5V，其对笔记本型电脑的电池续航力是很有帮助的。
勤茂此次推出的DDR3-1333 SO-DIMM内存模组，则是采用高品质原厂颗粒及先进的FBGA (Fine- Pitch Ball Grid Array)封装技术，提供更好的散热性及电气特性，且运用ODT (On-Die Terminatin)技术， 降低高速运作下内存信号的回授，进而增进信号完整性。而ASR (Auto self-refresh)的设计，则聪明地让内存减少更新频率，以降低温度及功率的耗损达到省电目的。
勤茂DDR3-1333 SO-DIMM产品特色：
8bit预取设计(8 bit Pre-fetch)
204针脚，频率可高达1333 MHz
8层PCB电路板设计
采FBGA封装技术及ASR设计
高兼容性、高稳定性
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