天极网7月12日消息 飞思卡尔半导体 (Freescale Semiconductor)日前发表业界首款商用磁阻式随机存取内存(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)组件，并已投入量产。
飞思卡尔的4兆位MRAM产品是一款耐用性极佳的高速非挥发性内存，这种高速且耐用的特性组合是任何半导体记忆装置都无法提供的。该组件系以一百多项飞思卡尔的MRAM专利技术为基础，其中也包括了交替位转换(toggle-bit switching)技术。
MRAM将磁性材质与传统硅晶电路结合，在单一组件中提供具备SRAM速度等级的非挥发性闪存。飞思卡尔成功推出此项技术的商业应用后，便可促使新一代的电子产品在尺寸、成本、功率消耗及系统性能上获致重大的进展。
这款名为MR2A16A的飞思卡尔首创商用MRAM产品，非常适合用于网络、安全、数据储存、娱乐游戏及打印机等多种商业应用。该组件在设计上，便是希望成为可靠、经济的单一组件，以取代使用电池驱动的SRAM装置。本组件也可用于缓冲存储器、组态储存内存，以及各种需要高速、弹性及非挥发性MRAM的应用。
MR2A16A是一款适合商用温度范围、3.3伏特的组件，其读写循环仅需35纳秒。它属于异步式内存，其结构系以每16位为一单位、总共256K字。其符合业界标准的SRAM脚位安排，可增加系统设计的弹性、而不会发生总线冲突(bus contention)的情形。该组件采用400毫米的TSOP type-II RoHS封装。其封装则是在飞思卡尔位于亚利桑那州的Chandler 200毫米晶圆厂完成。
飞思卡尔半导体与特定经销商已经开始供应MR2A16A MRAM，建议零售价为25元美元 (以1000颗为订购单位)。
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