经过反复尝试，我发现在CL4-4-4-8时序设置下，想要在系统稳定的前提下，把内存频率提高到比535MHz更高的水平基本上是不可能的，就算是继续提高电压也无济于事。最终为了让内存频率达到550MHz(DDR2 1100MHz)，我们只能把时序提高到CL4-5-4-12，电压也增加到了2.45v。
大家可能已经注意到，到目前为止还没有测试在默认CL5-5-5-16时序设置下的内存超频能力。在大多数人的认知里，都认为内存可以达到的频率越高就代表系统性能越高，往往都忽视了内存时序的重要性。事实上内存时序的高低对系统性能是有非常大影响，简单来说时序为CL3-3-3-5，频率达到550MHz的内存和时序为CL5-5-5-16，频率达到550MHz的内存相比，尽管频率相同但是系统性能却高的多。因此，对于定位于超频市场的高端内存，在低时序设置下的超频能力是非常重要的指标。
接下来继续我们的测试，在CL5-4-4-8时序设置下，电压提高到2.45v，内存频率可以达到560MHz(DDR2 1120MHz)。
当我们把时序设置为CL5-5-4-5，电压设为额定的2.3v，此时内存频率可以达到600MHz也就是这款内存的默认频率DDR2 1200MHz。
