第二页：最快0.8ns显存、全固态电容3+1相供电
盈通G9600GT-512GD3供电部分
盈通G9600GT-512GD3
显卡供电部分的设计，对于显卡的稳定运行和超频能力有着极其重要的影响，因此盈通G9600GT-512GD3也加强了在供电方面的设计和用料，全部采用了顶级的日系富士通固态电容，具有十分优秀的电气性能，并且能够抗高温高压，此外还采用了全封闭式的电感，为显卡在默认频率下的稳定运行提供了可靠的保障，并且增强了超频能力。
盈通G9600GT-512GD3显存部分
显存方面，盈通G9600GT-512GD3采用了当前速度最快的三星(SAMSUNG)0.8ns GDDR3显存，八颗显存均排列在显卡的正面，组成了512M、256bit的显存规格。盈通G9600GT-512GD3的默认核心/显存/Shader频率分别为700/2200/1750MHz，分别比公版GeForce 9600GT高出50/400/125MHz。尽管已经有很高的默认运行频率，但由于这款盈通G9600GT-512GD3采用了超频能力极为强劲的三星0.8ns显存颗粒，并且加强了供电用料和散热设计，因此我们认为这款显卡还存在不小的超频空间，后文中我们也会测试其在超频方面的表现。
盈通G9600GT-512GD3采用了ST意法半导体公司生产的L6713A PWM控制IC，该款控制芯片可提供两相和三相电路控制功能，它可以同时控制多路12V输入，并负载100+ A的电流。
