长鑫存储量产19nm DRAM:2020年大幅扩充产能
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【天极网DIY硬件频道】紫光集团旗下的长江存储已经开始量产64层的3D TLC NAND芯片,作为存储另一部分的DRAM(动态随机存储器)的进展同样受到业界关注。
长鑫存储技术有限公司(CXMT)已开始生产基于19nm工艺的计算机存储器,公司制定最少两条10nm级制程的路线图,计划在未来生产各种类型的动态随机存储器(DRAM)。作为中国制造2025项目的一部分,其有望支撑全球一半左右的DRAM需求。
长鑫存储使用10G1技术(19nm工艺)制造4Gb和8Gb DDR4存储器芯片,目标是2020年第一季度商业化并投放市场,该技术还将用于2020下半年生产的LPDDR4X存储器。预计长鑫存储的10G5工艺将使用HKMG和气隙位线技术,并在未来使用柱状电容器、全能栅极晶体管以及极紫外光刻(EUVL)工艺。
从路线图来看,长鑫存储还规划DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5的10G3(17nm工艺)产品。
长鑫存储的月产能约为2万片,但随着订单量的增长,产量还会提升。预计到2020年底,长鑫存储10nm级工艺技术的12英寸晶圆的产能将达到12万片,可媲美SK海力士在中国无锡的工厂。长鑫存储还计划建造两座晶圆厂,用于提升产能。尽管目前尚无法撼动业内老牌竞争对手,但长鑫存储相当重视创新工艺的研发和产能的扩张。
长鑫存储前身是成立于2016年的合肥睿力集成电路(Innotron Memory),下设一座拥有65000㎡洁净室的晶圆厂。目前拥有3000多名员工,其中77%员工都是从事研发相关工作的工程师。公司借助奇梦达的IP授权,已顺利完成早期积累。
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