顶级中的顶级 铠侠EXCERIA PRO G2 VE10固态硬盘评测

  【天极网DIY硬件频道】进入PCIe 5.0时代，相比前代翻倍式的速率提升成为硬件性能增长的主旋律。此前我们也已经体验过多家存储品牌推出的新一代NVMe M.2固态硬盘产品，其中既有主打满血Gen 5性能的旗舰之作，也有采用DRAM-less设计，注重高效能与性价比的玩家主推。而在近期，我们首次体验了Gen 5时代的一款原厂满血旗舰：铠侠EXCERIA PRO G2 VE10固态硬盘。

 

  作为铠侠迄今推出过最快的消费级固态硬盘，铠侠EXCERIA PRO G2 VE10固态硬盘(以下简称铠侠VE10)标称拥有高达14900MB/s顺序读取速度，相比同类产品更加前所未有地逼近PCIe 5.0 x4通道带宽上限。而它的亮眼表现也不止于此，接下来就让我们从多方面展开了解。

  外观设计&硬件信息

  外观设计上，铠侠VE10无疑延续了铠侠消费级固态硬盘系列产品的简约风格，在外包装、盘身标签等处使用不同色彩区分产品线，包括蓝、绿、黄、灰等。铠侠VE10采用了独特的粉色，搭配深色系外包装更加鲜明，同时也展现了品牌、容量、速率、通道、尺寸规格、协议支持等信息。

 

  我们本次体验的是2048GB容量版本，为单面颗粒设计，从包装中取出SSD本体，铠侠VE10受到纸质托架与专用防静电袋的良好保护。

 

  同时，铠侠VE10也没有采用我们此前在铠侠SSD系列上更常见到的蓝色PCB，而是使用了黑色PCB。同时表面标签面积接近全盘尺寸，更完整地覆盖SSD表面元件。

 

  铠侠VE10作为一款拥有PCIe 5.0满速性能，且配备独立DRAM缓存的旗舰SSD，其表面覆盖的标签虽然如一层贴纸般轻薄，但撕下后可以注意到背面的金属铜色，可见铠侠为其搭配了特殊材质设计，为表面的主控、DRAM、FLASH颗粒等核心元件提供更好的散热效果。

  我们同时查看铠侠VE10表面的主要元件，包括1颗主控芯片、1颗独立DRAM缓存与2颗FLASH颗粒。其中主控是PCIe 5.0旗舰SSD中较为常见的慧荣SM2508，采用6nm制程工艺带来更强能效，支持PCIe 5.0 x4规格、NVMe 2.0协议，拥有8CH/32CE设计，同时支持的FLASH颗粒速率高达3600MT/s。

 

  独立DRAM缓存采用南亚LPDDR4，查询芯片表面打标信息，可知其规格为16Gbit(2GB)容量、3733MT/s速率。FLASH颗粒则一如既往采用铠侠原厂自产的BiCS FLASH，据了解，铠侠VE10的2048GB与4096GB版本均采用最新的第8代BiCS FLASH TLC闪存颗粒，并借助CMOS直接键合阵列(CBA)架构，为FLASH颗粒提供更高的密度、性能与能效表现。

  在新锐主控与原厂高品质颗粒加持下，铠侠VE10 2048GB版标称最高可达到14900MB/s顺序读取与13400MB/s顺序写入速度，4K随机读写速度则分别达到2250K IOPS与1950K IOPS，同时耐久度也高达1200TBW，并拥有长达5年的质保支持。

 

  接下来，我们就将这块铠侠VE10 2048GB固态硬盘安装至支持最新PCIe 5.0 x4规格、NVMe M.2插槽的PC测试平台，在空盘与半盘状态下借助多种测试软件，对它的旗舰性能进行实际体验。

  测试使用的PC平台部分配置如下：

 

  空盘性能测试

 

  首先通过CrystalDiskInfo查看固态硬盘本身的属性与更多信息，可以看到这块铠侠VE10固态硬盘的实际容量为2048.4GB，运行在标准的PCIe 5.0 x4通道，支持NVMe 2.0标准和TRIM等功能。

  铠侠VE10 2048GB版标称最高达到14900MB/s顺序读取速度与13400MB/s顺序写入速度，4K随机读写速度分别达到2250K IOPS与1950K IOPS。接下来我们在空盘状态下使用CrystalDiskMark进行读、写、混合的三项性能测试。

 

  测试结果显示，这块铠侠VE10 2048GB固态硬盘的顺序读取速度达到14854.36MB/s，顺序写入速度达到13362.92MB/s，在70%读30%写的混合场景下同样拥有超过12000MB/s速率。同时低队列深度随机4K读取的表现堪称顶尖，达到108.00MB/s

 

  切换至IOPS显示，铠侠VE10在多队列多线程的随机4K读写中分别测得超过2300K IOPS与2200K IOPS的结果，混合测试同样接近1800K IOPS，表现出色。可以说，铠侠VE10 2048GB版在CrystalDiskMark的各项测试结果中都达到甚至超越了标称水平。

 

  我们也单独进行了4队列4线程的随机4K测试，铠侠VE10测得1428.70MB/s随机读取与2319.01MB/s随机写入，混合读写达1649.44MB/s，整体性能表现超越我们此前测试的所有PCIe 5.0满血旗舰。

 

  在TxBENCH测试中，铠侠VE10的表现同样与CrystalDiskMark相当，甚至在顺序写入等部分项目中表现更佳。

 

  同样环境下我们也进行了AS SSD Benchmark测试，铠侠VE10固态硬盘测得顺序读取性能为10862.05MB/s，顺序写入性能为7926.14MB/s，整体评分达到前所未见的17433分。

 

  使用3DMark进行更贴近实际场景的存储基准测试，软件会通过游戏加载、录制、安装、保存、移动多个项目，模拟硬盘在实际游戏负载中的表现，并形成量化可参考的结果，铠侠VE10在这一测试中获得5233分，在消费级固态硬盘中可以说表现极佳。

  最后，为了验证铠侠VE10 2048GB的模拟SLC缓存策略，我们在执行TRIM并静置一段时间后，使用白眼软件对固态硬盘进行全盘稳定性测试，测试过程中同时使用HWiNFO软件检测硬盘活动与温度表现。

 

  白眼软件呈现出的红色写入曲线表现为两段形态，首先是模拟SLC缓存空间内，铠侠VE10的整体速率维持在11000MB/s上下，持续至写入超过350GB离开SLC缓存。

  随后第二段均速下降并稳定在约2000MB/s，推测为直接写入、缓存释放等多种工作并行的混合负载，而铠侠VE10的主控与算法策略，使这一阶段的速率稳定在2000MB/s，并一直持续至全盘写满。

  全盘读取方面铠侠VE10表现平稳，速率几乎能够全程维持在10000MB/s以上。值得一提的是，铠侠VE10还顺利完成了白眼的高并发随机读写测试，最终总评分高达8265分。

  此外，测试全程软件显示铠侠VE10的温度最高仅为54℃，平均温度为50℃。可见在自带散热标签与主板散热装甲的覆盖下，满血PCIe 5.0旗舰固态硬盘也能拥有稳定的高性能与低温表现。

  半盘性能测试

  在实际使用中，用户的固态硬盘不总是“FOB”的最佳状态，在经过一系列测试已经拥有一定脏盘度，并且预占一部分容量的条件下，铠侠VE10还能保持以上的超强性能表现吗？我们使用IOMeter向铠侠VE10内写入约1TB不可压缩数据，随后继续使用各软件进行测试。

 

  首先依然是CrystalDiskMark测试，可见在半盘状态下，铠侠VE10的顺序读写性能与混合表现都没有太多变化，依然符合标称水平。

 

  切换至IOPS显示，在多队列多线程的随机4K读写中，铠侠VE10依然与空盘状态表现相近，单队列单线程4K性能也延续了顶尖表现。

 

  半盘下进行CrystalDiskMark的4队列4线程随机4K测试，铠侠VE10同样整体维持空盘时的性能水平，拥有很高的性能一致性。

 

  在TxBENCH测试中，铠侠VE10的半盘表现相比空盘状态，仅在顺序写入方面降低约4%，其它项目中性能基本与空盘状态一致。

 

  而在半盘状态下的AS SSD测试中，铠侠VE10同样维持了空盘状态的性能水平，部分项目甚至速率有所提升，整体评分为17419，与空盘状态相差不到1%。

 

  最后我们也进行了半盘状态下的3DMark存储基准测试，铠侠VE10最终得分5082，相比空盘状态仅降低约3%，在多个子项目中的带宽与平均存取时间表现都没有显著差异。

  综合来看，铠侠VE10 2048GB版在我们进行的多项测试中，都展现出无可争议的PCIe 5.0旗舰实力。其中最为亮眼的自然是触及通道规格极限的14900MB/s顺序读取性能，以及顶尖的4K随机读写性能。而在世界级存储原厂的精心打磨下，铠侠VE10不仅拥有领先的峰值性能，更在贴近用户实际场景的混合、低队列、半盘等复杂条件测试中拥有划时代的出色表现，以高度的性能一致性为用户的实际体验创造更多价值。

  评测总结

  铠侠EXCERIA PRO G2 VE10固态硬盘并不是首款由存储原厂推出的满血PCIe 5.0旗舰，甚至可以说它的诞生比我们想象中来得更晚，消费级SSD市场早已经历了一段Gen 5高端新品竞争热潮，并随着近期存储行业的供需波动逐渐降温。在这样的背景下，铠侠VE10的横空出世依然为我们带来不小震撼。

 

  在主流级与性价比路线由于行业影响而整体走弱之时，面向个人AI与专业创作者需求，为硬件发烧友打造的高端旗舰才是更能席卷市场、打动消费者的时代符号。铠侠EXCERIA PRO G2 VE10 PCIe 5.0固态硬盘的巅峰性能与稳定表现，展现出“原厂旗舰”的独特竞争力，并在新一代消费级PCIe 5.0 SSD中脱颖而出，荣获天极网颁发的2025年度“编辑推荐奖”。